较之安装尺寸相同的前几代模块，采用RCDC IGBT的模块电流密度提高了33%，散热性能也有所增强。因此，它可以延长产品工作寿命并提高可靠性，进而最大限度降低系统维护工作量。 

 

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片（来源：佳工机电网）

 

通过推出RCDC IGBT芯片，英飞凌进一步壮大其高性能6.5kV KE3 IGBT产品的系列。该芯片的电流密度之所以能够得以提高，是因为它的正向和反向电流的有效硅面积都增加了，因而设计人员可以灵活提高系统输出功率，而无需以加大外形尺寸为代价。或者，利用其更高功率密度的优点，可以在保持功率不变的情况下减少IGBT并联数量，从而减小系统尺寸、减轻产品重量，触摸屏，并降低成本。 

 

英飞凌的RCDC IGBT，触摸屏，采用行业标准尺寸IHV A高绝缘封装，可轻松进行替换现有产品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二极管的单片集成还可大幅改善二极管I2T值，以及IGBT和二极管热阻（Rth/Zth）。低热阻确保器件在整个工作温度范围内实现良好的散热性能。更低实际结温（Tvj）纹波，使器件有更长使用寿命，当使用二极管栅极控制时，可让设计人员通过权衡导通损耗和开关损耗来优化总体效率。 

 

RCDC模块的工程样品现已开始供货，为了简化并加快客户设计，英飞凌提供多种设计支持，包括应用笔记和评估驱动板等。评估套件计划2015年第四季度发布。