采用全面升级韧体设计的控制芯片ID201，搭配原厂高质量同步闪存，让新一代产品拥有绝佳4K随机读写效能，同时升级的电力管理机制与可靠度测试，更适合高阶工业计算机

2014年8月21日，台北讯 –工控储存领导厂商宜鼎国际( Innodisk )因应工业计算机市场对效能与可靠的追求，全面升级自家研发的韧体设计，推出新一代3MG2-P闪存储存装置系列，采用全新控制芯片 ( Controller ) ID201，搭配19奈米制程的原厂高质量同步闪存，内建DRAM设计，可提高IOPS数倍，4K随机读写效能达每秒80/ 76 K。新一代3MG2-P系列延续EverGreen系列产品所采用的独家研发L²韧体架构，可延长MLC闪存使用寿命达10倍之久，透过适当的传输设计架构，解决IOPS瓶颈，降低频繁批次小档案读写应用系统的长期成本，并提高效能，搭配上升级的硬件设计与架构，不只是POS机、Kiosk、ATM等系统最佳选择，更适合网通设备、监控设备、服务器平台等更高阶应用系统使用。

独家L²韧体架构再进化，缩小WAI值，延长储存装置寿命

宜鼎国际3MG2-P系列搭载独家L²韧体架构，可延长MLC闪存的使用寿命，进化版韧体架构使得此系列比起前一代产品，其WAI值大幅降低，更符合JEDEC组织所制定的JESD218号所订定SSD基本要求与耐受度测试标准，以全面性的验证来确保产品的耐用度、稳定度与使用寿命。

 通过多重电力管理测试，更加稳定可靠

为迎合工业控制计算机应用的严格要求，宜鼎国际3MG2-P全系列皆通过多重电力管理测试与验证，其中包含「不正常断电读写测试」( Power Cycling Test )与「高低温下的启动测试」( Power On/Off Test )，以确保系统在遭遇不正常断电的情况与极端温度的条件下，都能正常运作。

宜鼎国际独家研发的iCell与iData Guard为韧体与硬件的整合 SSD 强化技术，也内建于此一系列产品中，当储存装置遇到电力不稳或电源间歇中断时，多颗电容的设计可提供电力，将最后一笔在DRAM的数据写入flash中安全储存，以确保数据完整性，同时，也会主动拒绝主机端的数据指令，启动数据保护机制，避免 SSD 因无法完整写入数据，造成 NAND flash 中的区块故障( Bad block )。

此系列支持DEVSLP模式，强调其仅5mW的低功耗设计，在储存装置不运作时，可在SATA规范的最低功耗下使物理层与其他电路完全断电，与常见省电模式相比，省电达50%。

产品讯息

宜鼎国际3MG2-P系列包含2.5”SSD与SATA Slim两种工控领域常见的尺寸外观可供选择，容量从8GB到1TB，堪称业界最齐全，采用SATA III接口，最高连续读写速度可达每秒530/460 MB，同时，在同级产品中，仅宜鼎国际独家备有宽温产品，是真正符合工业级需求的储存装置。8GB~256GB现已上市，高容量1TB产品与M.2 2280预计于9月底同步上市。

关于宜鼎

宜鼎国际 (Innodisk) 是领先全球的数据储存装置及内存模块解决方案供货商，产品适用于工业及嵌入式产品等各种关键性应用。宜鼎国际运用内部的工程和研发专业知识，以及对产业趋势的敏锐洞察力，以固态硬盘 (SSD) 技术提供强化、垂直整合的数据储存解决方案，其符合严格的航天与国防应用要求，并广泛用于工业应用及嵌入式系统。从独特的外型到特殊的韧体设计，我们的软硬件及韧体工程师支持团队随时准备为每位客户量身打造最适合的客制化解决方案。

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